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Molibdenita, candidata ao trono do silício

Borges e Nicolau
Os chips do futuro serão mais econômicos e eficientes. O silício reinou absoluto durante anos, mas no seu horizonte de eventos existe a perspectiva de aposentadoria.

O grafeno, tido e havido como o material básico dos chips do futuro apresenta barreiras tecnológicas para ser usado em transistores. Esse fato impede sua adoção de imediato. Claro que os cientistas estão trabalhando na solução dos problemas, mas enquanto isso não acontece surge outro postulante de peso a reclamar as batatas do vencedor. Não podemos nos esquecer que a descoberta do promissor grafeno, em 2004, deu a seus descobridores o Prêmio Nobel de Física de 2010.

Senhoras e senhores, no palco a estrela do momento: a "molibdenita".

Nossa história começa no laboratório da École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Suíça, onde os pesquisadores buscavam desenvolver transistores eficientes e econômicos. Quando experimentaram a molibdenita os resultados superaram as expectativas.

De acordo com Andra Kis, um dos professores da EPFL, responsável pelo estudo, a molibdenita é um material bidimensional, muito fino e fácil de usar em nanotecnologia, com grande potencial na fabricação de transistores, LEDs e células solares."

A pesquisa realizada no Laboratório de Eletrônica e estruturas nanométricas revelou que a molibdenita (MoS2) além de ser abundante na natureza, é um semicondutor altamente eficiente. Atualmente é usada como componente de ligas de aço ou aditivo em lubrificantes. Agora passará a ter mais uma aplicação, desta vez no mundo da eletrônica.

Outros colaboradores do estudo também indicaram que a molibdenita tem várias vantagens sobre os dois materiais semicondutores em uso: o silício, de ampla aplicação e o grafeno, ainda em fase de desenvolvimento, mas muito promissor.

Dentre elas está o fato da molibdenita ser menos volumosa do que o silício, mas o mais importante de acordo com seus descobridores é que poderá resultar em transistores com consumo de energia 100.000 menor em relação à energia consumida no estado de espera pelos transistores de silício.

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